自首次应用于LED以来，茗山无机钙钛矿基发光二极管(PeLED)的亮度和外量子效率(EQE)均有显著改善。

寺宋图4g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的PDOS图（a）g-C3N4的PDOS图。绝壁（b）B掺杂g-C3N4的PDOS图。

实验和理论证明，有北SnS2是有潜力的PSII替代物与g-C3N4结合，可有效提高g-C3N4的光催化性能。茗山（d）g-C3N4/SnS2的功函数图。寺宋本文由材料人编辑部张金洋编译整理。

【引言】SnS2是一种n型半导体光催化剂，绝壁因其具有廉价、丰富、无毒且适合的带隙（约2.4eV）而受到越来越多的关注。结果表明，有北B掺杂g-C3N4/SnS2的CO2还原活性优于g-C3N4/SnS2。

图5g-C3N4、茗山g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的吸收光谱图图6g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的功函数图（a）g-C3N4的功函数图。

寺宋图3g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的能带图（a）g-C3N4的能带结构图。介绍了各种改变电催化剂表面和体积结构的方法，绝壁包括杂原子掺杂，绝壁空位控制，晶界，金属间化合物，金属-金属氧化物和金属-碳界面结构，以及它们在提高效率和选择性方面的作用。

（B）在0.1MKHCO3溶液中的Au/C，有北CeOx/C和Au-CeOx/C催化剂上的CO的FE以及对应的施加电位。（E）在-0.12Vvs.RHE的平衡电位下，茗山CO2 在Ni上转化为CO的自由能图。

寺宋插图显示了连续CO2还原操作150小时后样品的横截面扫描电子显微镜和能量色散X射线光谱图。绝壁（E）循环伏安法中的FYFeK-edgeXANES谱。